형상/표면/결정구조 분석 1 페이지

산업현장과 연구소의 제품, 공정에서 불량이나 결함이 발생하였거나 소재 특성을 확인하고자 할 때, 품질개선을 하고자 할 때 신속한 분석을 통해 현상과 원인을 알아 낼 수 있습니다.
미세 형상 분석은 시료 내에 분석하고자 하는 부위를 전자 빔을 활용하여 수십만 배까지 확대하고 성분을 분석하는 방법으로 표면, 단면에서 원하는 미세 영역을 이미지화 할 수 있어 제품이나 소재의 불량 현상과 원인을 규명할 수 있고 ㎛ 단위까지 크기 측정이 가능합니다.
또한 시료를 파괴하지 않는 방법으로 분석이 가능하며 특정 부위의 미세 영역 형상과 성분의 함량 및 분포를 쉽게 분석할 수 있으며 오염, 부식, 산화, 변형 등의 현상을 분석할 수 있는 매우 유용한 분석입니다.

고체 시료의 표면에 X-선을 입사하여, 방출하는 광전자(Photoelectron)의 에너지를 분석함으로써 시료 표면의 원소분석, 1nm~수㎛ 깊이에 따른 조성 변화와 화학 결합 상태 분석이 가능한 분석 방법으로 박막과 오염, 부식, 변색 등의 분석이 가능합니다.
다양한 제품과 소재 분석에 활용되며 특히 반도체, 철강, 금속 박막, 다양한 코팅 박막, 태양전지, 이차전지 및 디스플레이 제품 등의 분석에 매우 유용한 방법입니다.

X선을 고체 시료에 부딪히면 결정의 경우 회절이 일어나고 그 회절 각도와 강도는 물질의 고유한 특성이 됩니다. 이러한 회절 Pattern은 이미 알고 있는 회절 Pattern의 Reference와 비교하여 화합물의 결정구조를 함유하고 있는지 분석하는 방법으로 파우더, 박막, 금속, 결정성을 갖는 유기물질 분석에 활용할 수 있으며 정성분석, 정량분석, 결정화도, 잔류응력 등의 다양한 목적으로 분석을 수행합니다.

FIB 설비는 제품과 시료 분석시 주사전자현미경에서 원하는 부위의 표면을 확대하여 관찰하고 그 단면을 이온 빔으로 절단하여 특성을 분석 할 수 있습니다.
즉 전자현미경에 이온 Gun을 장착하여 매우 가늘게 집속한 이온 빔을 시료에 주사(Scanning)하여 발생한 전자/이온을 검출하여 표면과 단면의 형상과 성분을 분석할 수 있고 투과전자현미경을 관찰하기 위한 전처리 용도로 사용됩니다.
TEM설비는 FIB를 비롯한 다양한 방법으로 수십nm 두께로 매우 얇게 전처리 된 시료 부위에 전자를 투과시켜 고배율 이미지 관찰과 성분 분석이 가능한 분석 방법으로 nm 단위의 매우 얇은 박막 분석을 비롯한 소재의 특성 분석에 매우 유용한 방법입니다.
상기 방법은 미세 부위의 표면과 단면을 고배율로 분석하는 방법으로 반도체, 디스플레이, Battery, PCB, 박막 및 금속 등의 다양한 제품과 소재 분석에 활용이 가능합니다.